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郑晨烨　　　　

当前，全球光芯片市场正因人工智能和大数据需求的爆发而进入快速扩张期。国内市场也逐渐聚焦光芯片技术的自主研发与小型化趋势，但在实现国产化的道路上，仍面临较大挑战。

在北京新鼎荣盛资本管理有限公司（下称“新鼎资本”）董事长张驰看来，尽管国内光模组企业市场份额已在全球领先，但作为核心部件的光芯片国产化率却仍旧很低，且生产环节对进口依赖较大，随着大算力、大数据中心的扩展，光芯片产业的基础设施需求愈发紧迫。

近期，张驰考察了多个该产业链上下游企业，他的关注点从传统光模块扩展到了硅光芯片和薄膜铌酸锂芯片。

他认为，光芯片小型化是行业发展的必然方向，但涉及多种材料的异构集成，技术门槛高，制造成本也较大。特别是在硅光芯片和电芯片领域，国内的自主设计尚未完全成熟，许多企业仍依赖进口代工服务。

他在接受经济观察报记者采访时强调，政策的支持为光芯片行业带来了积极信号，而技术和市场需求将成为推动未来五年内产业快速发展的主要动力。在新的带宽需求下，薄膜铌酸锂芯片或将取代硅光芯片，成为下一代光芯片的主流选择。

|对话|

经济观察报：你如何看待光芯片产业链的整体投资逻辑和发展趋势？

张驰：前段时间，我刚投资了一个规模较大的光芯片项目，现在光芯片产业链的逻辑也已经相对清晰。总体来看，人工智能的发展，尤其是大模型的普及，推动了整个信息基础设施的升级和扩展。在这一过程中，产业链的投资需求变得更加紧迫，特别是对计算、存储和传输等基础设施的需求，逐步加大了上游芯片企业的压力和机会。

从大的发展逻辑看，人工智能大模型的训练和应用带来的是对底层算力的极高需求。比如，英伟达在这一领域提供了高效的算力支持，其图形处理器（GPU）在大规模数据计算方面优势显著。但仅有算力是不够的，海量数据产生之后，还需要进行高效存储。这部分需求主要由三星和海力士这样的企业来满足，它们提供了存储解决方案。于是我们可以看到，算力和存储共同带动了整个数据传输需求的激增。

如果传统的传输设备不进行小型化改进，那么它们的体积将会是现在的5到10倍大，这对机房等现有的基础设施提出了巨大的挑战。所以，我们逐渐进入了硅光芯片时代。在这一代光芯片的带动下，数据传输速度从过去的200G提升到了400G、800G，未来可能达到1.2T、1.5T甚至3.2T，美国在这一方面的发展速度比我们快一些。

目前在国内市场上，90%以上的光芯片仍然是传统类型的，像中际旭创、新易盛等A股上市公司都是传统光芯片的主要生产者。去年，光模块市场异常火热，企业业绩也在大幅度增长，尤其是一些下游客户，包括亚马逊、谷歌和微软等数据中心巨头的需求带动了市场繁荣。这些企业的大规模采购，推动了光模块市场的快速扩张。中际旭创的全球市场占有率也很突出，它占到了全球光模块供应量的近一半，市值已超过千亿元。

这个市场不是单纯的概念炒作，确实有实在的市场需求和基本面的支撑。例如，中际旭创的大客户群体主要是美国的超大规模数据中心建设者，像英伟达这样聚焦于算力的公司尚未涉足光模块业务，而光模块业务的大部分市场需求几乎都被中国企业包揽，产品出口量也非常可观。

光模块公司从本质上看更像系统集成商，有点类似存储模组。虽然他们生产的是光模块，但其核心器件是光芯片和电芯片，尤其是下一代的硅光芯片，这些核心芯片的成本占到了光模块总成本的70%至80%。但目前核心芯片的国产化率还非常低，几乎接近于零。

由于产业快速发展，越来越多的大型公司开始采购光模块，主要用于建设服务器和数据中心。现阶段市场主流的光模块产品是400G和200G，但随着技术不断提升，预计未来将会逐步进入800G和1.2T时代。在这种背景下，传统的光模块已经难以完全满足需求，硅光模块将逐渐成为主流。

硅光模块的优势在于其小型化特性，它可以将电信号转换成光信号，再通过光传输完成数据传递，然后在接收端再将光信号转换成电信号。这项技术与我们以往使用的宽带光纤非常相似，比如家庭网络中的“光猫”设备。光模块行业的快速发展，正是因为小型化和高效传输的需求越来越高。

未来，随着带宽的继续增加，光芯片的高效传输、低功耗和小型化优势会愈加显现。在数据量和算力不断提升的背景下，传统电芯片的物理瓶颈逐渐显现，因此在大规模数据中心中，硅光模块的需求有望快速增长，推动光芯片行业实现新一轮突破。从投资的角度来看，随着硅光芯片技术的成熟和应用领域的拓展，光芯片的产业价值和投资潜力将继续上升。

经济观察报：你最近刚投资了一家光芯片公司，你如何评估光芯片产业的投资价值和潜力的？

张驰：当前光芯片产业的发展确实有吸引力，但我们在投资时还是很有选择性的。像模组类的公司基本已经不在我们的投资范围内了。过去，中国公司在全球前十的光模块公司中占据了七席，除华为以外的六家公司都在A股上市，市场规模已经足够大，竞争也非常激烈，现在主要在拼价格和利润，属于红海市场。所以，行业投资机会主要集中在更上游的环节。

模组之上是光芯片和电芯片，这两个领域值得投入，也是推动国产化的关键。光芯片的下一代产品包括硅光芯片，这类技术需要的材料相对复杂，涉及硅、锗、磷酸锂等异构集成的材料，所以材料端也有投资价值。但目前国内企业在这方面的布局还很少。尤其在硅光芯片领域，国内能够生产的企业不到五家。下游应用的测试也在进行中，这说明行业的技术门槛相当高，且市场上符合条件的标的不多。

整个市场看似热门，但实际上好项目并不多，处在“看上去很热，但实则冷清”的状态，这让投资选择变得更加困难。在电芯片领域，国内还没有公司实现量产，虽然有几家企业在尝试，但技术难度大，这一领域的投资依然需要非常慎重。

经济观察报：光芯片产业也在加速整合，你如何看待新技术的引入、行业风险及未来投资方向？

张驰：目前光芯片的主力是硅光芯片，主要用于400G到800G的数据传输。随着更高带宽需求的到来，薄膜铌酸锂芯片未来甚至可能支持1.5T、3T的传输量。在薄膜铌酸锂芯片领域，国内已经有天使项目启动，预计在更高功率和传输距离的要求下，薄膜铌酸锂会逐渐取代硅光芯片。我们必须确保技术的起点足够前沿，避免一开始就落后于国际竞争者。

从技术角度来看，充足的资金和高素质的技术团队对突破核心技术至关重要。即使像中际旭创这样的公司拥有非常雄厚的资源，但仍然难以取得完全突破。这说明光芯片产业链虽然已有一定成熟度，但关键部件的国产化仍需时间和投入。

对于光模块而言，虽然国内市场份额很高，但主要出口美国，这带来了贸易政策上的潜在风险。未来中美贸易政策的变化可能会对国内光模块市场产生压力，这也是推动上游国产化的动力所在。行业中确实存在对未来风险的预期，大家一致认为要加速核心部件的技术突破。股价的炒作对行业发展并无实质帮助，真正的关键在于能否实现真正的国产化。部分看似盈利可观的公司，实际风险并不小。

我们对硅光芯片已经做出投资。我们看了将近一年多的时间，涵盖模组厂、光芯片、电芯片以及薄膜铌酸锂项目，但确实少有质量高的项目。未来我们可能会将投资重心放在薄膜铌酸锂芯片上，预计在未来3年至5年内，这种芯片会逐渐替代硅光芯片，满足更高的带宽需求。

经济观察报：你如何看待国内光芯片行业的“卡脖子”问题？另外，你投资的硅光芯片公司在实现自主可控方面是否具备优势？

张驰：即便美国政策变化，国内市场依然很大，尤其是随着大算力模型和数据中心需求的增加，国产化进程会持续加速。虽然短期内销量和业绩可能会受到一些波动，但整体趋势不会改变。光芯片行业本身的年增速高达50%，这条链条上涵盖了高算力、高存储和高带宽需求，相关企业的机会确实非常多。

在设备和关键材料的国产化方面，仍存在一些难点。像光刻胶这样的关键材料目前还依赖进口，这类“卡脖子”问题仍然是行业发展的障碍。此外，设备层面的技术也需要进一步提升。虽然我们在核心材料和工艺上仍需依赖国外，但通过持续研发，国内企业正在逐步缩小差距。