据经济观察报-经济观察网 　　在本轮全球半导体产业的上行周期中，长鑫科技集团股份有限公司（下称“长鑫科技”）无疑是中国大陆DRAM（动态随机存取存储器）领域扩张最为迅猛的企业之一。据其5月17日更新的科创板IPO招股书披露，2026年第一季度，长鑫科技录得营收508亿元，归母净利润达247.6亿元，并预计2026年上半年归母净利润将在500亿元至570亿元之间。作为参照，同期SK海力士（000660.KS）营收约合人民币2700亿元，三星电子（005930.KS）存储业务营收约合人民币3800亿元。这意味着，长鑫科技单季508亿元的营收规模，已达到SK海力士同期的五分之一左右。

　　从业务架构分析，长鑫科技与SK海力士呈现出高度的同构性，二者均为以DRAM为核心的IDM（垂直整合制造）厂商，涵盖设计、制造与封测全流程。不同之处在于，SK海力士约三成收入源自NAND闪存，而长鑫科技目前专注于纯DRAM业务。某种意义上，长鑫科技正逐步演变为中国版的“海力士”。在过去十余年间，全球存储市场长期由三星、SK海力士及美光科技（MU.NASDAQ）三巨头把持，长鑫科技则是这一格局中最具威胁的新晋挑战者。

　　DRAM芯片的制造工艺极为繁复，从硅片加工至成品出厂，需经历刻蚀、薄膜沉积、化学机械抛光、清洗及检测等数百道精密工序，每一环节均依赖特定的专用设备与材料。招股书数据显示，长鑫科技已成功实现从DDR4到DDR5的全产品线切换，并将毛利率从两年前的-112%大幅提升至40%以上。这一业绩飞跃的背后，离不开其供应链体系的强力支撑。资深半导体设备工程师蒋彬指出，国产设备过去最匮乏的是在量产线上的验证机会，而长鑫科技与长江存储的大规模扩产，恰恰为国产设备商提供了这一关键的试错与迭代场景。

　　在DRAM产线的设备投资中，刻蚀与薄膜沉积设备合计占比约50%，居首位；光刻设备次之；量测检测设备占比约12%至15%。这些领域长期由应用材料（Applied Materials）、泛林集团（Lam Research）、东京电子（TEL）等美日企业垄断。然而，近年来国产设备在国内存储产线的渗透率显著提升。据接近长鑫科技的产业链人士透露，该公司目前国产设备整体占比约在40%至50%之间。参照长江存储武汉三期工厂的数据，其国产设备采购占比已超50%，核心工序国产化率更是突破60%。不过，国产化率在各环节分布不均：CMP与清洗设备国产化率较高，刻蚀与薄膜沉积正快速渗透，而量测检测、涂胶显影等环节仍有较大提升空间。

　　在刻蚀设备领域，北方华创（002371.SZ）作为国内品类最全的设备商，2025年其刻蚀与薄膜沉积设备收入均突破百亿元，立式炉与PVD设备交付量双双超1000台。中微公司（688012.SH）则在超高深宽比刻蚀技术上取得突破，其自主研发设备已有300多台反应器在存储产线量产，下一代90:1及第二代ICP设备分别实现了90:1和140:1的刻蚀深宽比。所谓深宽比，即沟槽深度与宽度的比值，90:1意味着在不到头发丝万分之一宽度的沟槽中，刻蚀深度达宽度的90倍，这对设备精度提出了极高要求，直接支撑了最新一代DRAM的制造需求。

　　薄膜沉积方面，拓荆科技（688072.SH）表现亮眼。2026年一季度，该公司营收11.12亿元，同比增长57%，归母净利润5.71亿元，实现扭亏为盈。2025年全年，其PECVD设备收入51.42亿元，同比增长75%；ALD设备收入3.01亿元，同比增长192%。国家大基金三期首个产业投资项目亦落子其子公司拓荆键科，专注先进键合设备研发。

　　在CMP环节，华海清科（688120.SH）于2026年4月交付第1000台CMP装备，占据国产CMP市场90%以上份额。测试环节同样进展迅速，精智达（688627.SH）自主研发的高速FT测试机速率达每秒90亿比特，超越日本爱德万（Advantest）主力机型的每秒80亿比特。2026年1月，精智达签下13.11亿元半导体测试设备合同，覆盖DRAM及HBM全流程。

　　随着产能扩张，设备采购需求激增。据产业链人士透露，长鑫科技2026年二季度已启动新一轮设备招标，全年计划扩产约5万至6万片晶圆，对应设备采购额约350亿至430亿元。加之IPO募投项目中220.66亿元的设备购置费，以及长江存储2号厂房的招标启动，国内存储双雄已同步进入设备采购密集期。

　　除设备外，材料消耗同样巨大。长鑫科技2025年原材料采购总额约114.7亿元，其中化学品占比37.29%，光阻剂占12.16%，硅片占8.55%。前驱体作为DRAM产线用量最大的特种化学品，其需求随工艺升级而增加。雅克科技（002409.SZ）作为国内前驱体龙头，2025年营收86.11亿元，同比增长25.49%，其江苏工厂产品已通过验证转入试产。CMP抛光液龙头安集科技（688019.SH）2026年一季度营收7.24亿元，创单季度新高，多款钨抛光液已在存储先进制程验证通过。

　　电子特气方面，华特气体（688268.SH）、金宏气体（688106.SH）等已进入供应体系，但现场制气领域仍由林德（Linde）、法液空（Air Liquide）等海外巨头主导，广钢气体、正帆科技（688596.SH）等国内企业正逐步突破。

　　国产化率的提升已直接带动成本下降。以2023年为基准，至2025年，长鑫科技硅片采购单价下降约30%，靶材下降约22%，备件下降近47%，化学品下降约26%。长鑫科技在招股书中明确将“加大国产供应商导入力度”列为降本增效措施，旨在同时提升供应链安全与成本优势。

　　多位业内人士指出，国产半导体设备与材料商过去面临的最大瓶颈并非技术或资金，而是缺乏产线验证机会。长鑫科技与长江存储的大规模扩产，实际上充当了国产设备从“能用”到“好用”的验证平台。存储芯片制造具有标准化特征，一旦设备在某一代平台完成验证，后续扩产即可快速复制。目前，长鑫科技量产的第四代平台国产设备占比虽不足20%，但新一代平台国产化率有望超40%。这意味着，未来每新增1万片月产能，国产设备商获得的订单份额将是过去的两倍。

　　据Omdia数据，全球DRAM市场规模预计将从2025年的1505亿美元增至2030年的5710亿美元，年均复合增长率超30%。长鑫科技2026年一季度全球DRAM份额已达9.7%，较2025年二季度的3.97%大幅提升。截至2025年底，其月产能约28万至29万片12英寸晶圆，而要覆盖国内需求，月产能至少需扩张至80万片，存在约50万片的缺口。按每万片月产能需70多亿元设备投资计算，潜在设备投资规模达数千亿元。若新一代平台国产化率超40%，仅长鑫科技IPO募投的220亿元设备采购，就将为国产设备商带来近百亿元订单。随着产能从29万片向80万片迈进，国产半导体设备与材料产业正迎来前所未有的发展机遇。